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100 Stück TO-220 14 x 20 x 1 mm Aluminiumoxidkeramik-Isolierfolie Hohe Beständigkeit gegen elektrische Isolierung MOS-Transistor-IGBT-Kühlpad mit 3,2 mm Bohrung

Angaben des Herstellers
  • 【Hohe Härte】: Die Härte des Keramikbelags spiegelt die Härte des Diamanten wider und die Oberfläche ist glatt und reibungsfrei.
  • 【Aluminiumoxidkeramikplatte】: Die Aluminiumoxidkeramikplatte ist eine Spezialkeramikplatte aus AL, O, ZrO2 als Hauptrohstoff, Seltenmetalloxid als Flussmittel und mehr als tausendfach kalziniert.
  • 【Hohe Temperatur- und Verschleißfestigkeit】: Keramische Pastenmaterialien sind anderen Metallmaterialien in oxidierenden oder korrosiven Hochtemperaturmedien überlegen.
  • 【Hohe Leitfähigkeit und Isolation】: 28 W / mk Wärmeleitfähigkeit, gute Wärmeleitfähigkeit. Isolationsleistung von 15 kV / mm, hoher Widerstand gegen elektrische Isolation, sicherer in der Anwendung.
  • 【Geeignet für】: Geeignet für Hochleistungsgeräte, ICMOS-Röhren, IGBT-Patch-Isolation, Hochfrequenz-Stromversorgung, mechanische Geräte, Hochstrom, Hochspannung, Hochtemperatur, Isolationsteile, die Wärmeleitung erfordern.
Preis auf Amazon.de:
16,40 €*
100 Stück TO-220 14 x 20 x 1 mm Aluminiumoxidkeramik-Isolierfolie Hohe Beständigkeit gegen elektrische Isolierung MOS-Transistor-IGBT-Kühlpad mit 3,2 mm Bohrung
100 Stück TO-220 14 x 20 x 1 mm Aluminiumoxidkeramik-Isolierfolie Hohe Beständigkeit gegen elektrische Isolierung MOS-Transistor-IGBT-Kühlpad mit 3,2 mm Bohrung
100 Stück TO-220 14 x 20 x 1 mm Aluminiumoxidkeramik-Isolierfolie Hohe Beständigkeit gegen elektrische Isolierung MOS-Transistor-IGBT-Kühlpad mit 3,2 mm Bohrung
100 Stück TO-220 14 x 20 x 1 mm Aluminiumoxidkeramik-Isolierfolie Hohe Beständigkeit gegen elektrische Isolierung MOS-Transistor-IGBT-Kühlpad mit 3,2 mm Bohrung
100 Stück TO-220 14 x 20 x 1 mm Aluminiumoxidkeramik-Isolierfolie Hohe Beständigkeit gegen elektrische Isolierung MOS-Transistor-IGBT-Kühlpad mit 3,2 mm Bohrung
100 Stück TO-220 14 x 20 x 1 mm Aluminiumoxidkeramik-Isolierfolie Hohe Beständigkeit gegen elektrische Isolierung MOS-Transistor-IGBT-Kühlpad mit 3,2 mm Bohrung
100 Stück TO-220 14 x 20 x 1 mm Aluminiumoxidkeramik-Isolierfolie Hohe Beständigkeit gegen elektrische Isolierung MOS-Transistor-IGBT-Kühlpad mit 3,2 mm Bohrung
100 Stück TO-220 14 x 20 x 1 mm Aluminiumoxidkeramik-Isolierfolie Hohe Beständigkeit gegen elektrische Isolierung MOS-Transistor-IGBT-Kühlpad mit 3,2 mm Bohrung
100 Stück TO-220 14 x 20 x 1 mm Aluminiumoxidkeramik-Isolierfolie Hohe Beständigkeit gegen elektrische Isolierung MOS-Transistor-IGBT-Kühlpad mit 3,2 mm Bohrung