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HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier verwenden.
Fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen.
Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, bietet HEXFET Power,175 °C Betriebstemperatur.
MOSFETs sind bekannt dafür, dass sie dem Designer ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen bieten.
Das TO-247 ist dem früheren TO-218-Gehäuse aufgrund seines isolierten Montagelochs ähnlich, aber überlegen.
